Bildsensor

Active Pixel Sensor

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Ein Active Pixel Sensor (APS, dt. aktiver Pixelsensor) ist ein Halbleiterdetektor zur Lichtmessung, der in CMOS-Technologie gefertigt ist und deshalb oft als CMOS-Sensor bezeichnet wird.

Durch die Verwendung der CMOS-Technologie wird es möglich, weitere Funktionen in den Sensorchip zu integrieren, wie beispielsweise die Belichtungskontrolle, die Kontrastkorrektur oder die Analog-Digital-Wandlung.

Einer der ersten CMOS-APS, eine Entwicklung der NASA
Einer der ersten CMOS-APS, eine Entwicklung der NASA

Inhaltsverzeichnis

[Bearbeiten] Funktionsprinzip

Prinzipbild eines einzelnen Pixels in einem AP-Sensor
Prinzipbild eines einzelnen Pixels in einem AP-Sensor

Die Lichtempfindlichkeit der APS basiert – wie auch der CCD-Sensoren – auf dem inneren fotoelektrischen Effekt.

Zu jeder Fotodiode ist ein Kondensator parallel geschaltet, der durch den Fotostrom aufgeladen wird. Die Spannung ist proprotional zur Helligkeit und zur Belichtungszeit. Im Gegensatz zu CCDs werden die bei der Belichtung angesammelten Elektronen nicht zu einem einzigen Ausleseverstärker verschoben, sondern jedem einzelnen Bildelement ist ein Verstärker zugeordnet, der diese Kondensatorspannung dem Analogsignalprozessor direkt zur Verfügung stellt.

Das bedeutet, dass jedes Bildelement zusätzlich zur Fotodiode eine Vielzahl von Transistoren enthält, die die gesammelte Ladung in eine messbare Spannung umwandeln. Der Vorteil ist, dass die Elektronik direkt das Spannungssignal jedes einzelnen Pixels auslesen kann, ohne die Ladungen verschieben zu müssen, was eine deutlich geringere Neigung zum Blooming zur Folge hat. Der Nachteil ist, dass sich zwischen den lichtempfindlichen Fotodioden viel Elektronik befindet, die selbst nicht lichtempfindlich ist, was bei gleicher Chipfläche ursprünglich zu einer im Verhältnis zur CCD-Technologie kleineren Lichtempfindlichkeit führte. Da die notwendige Integrationsdichte, um mit CCD konkurrenzfähig zu sein, noch nicht erreicht war, war diese Technologie in den 1970er und 1980er Jahren noch bedeutungslos.

[Bearbeiten] Geschichte

Wegen der anfänglich nur schlecht verkleinerbaren Ausleseelektronik lag der Füllfaktor, also der Anteil der lichtempfindlichen Fläche an der Gesamtfläche eines Pixels, bei nur 30 Prozent, d. h. die Ladungsausbeute war gering (somit auch die erzielbare Signalstärke), was zu einem schlechten Signal-Rausch-Verhältnis führte und sich in starkem Bildrauschen bei schlechter Lichtempfindlichkeit äußerte.

Diese Nachteile wurden erst später durch intensive Weiterentwicklung in der Miniaturisierung der CMOS-Technologie und durch den Einsatz von Mikrolinsen über jedem Bildelement, die das gesamte einfallende Licht auf den lichtempfindlichen Teil lenken, reduziert.

[Bearbeiten] Anwendungsgebiete

AP-Sensoren werden als Bildsensoren in digitalen Fotoapparaten und Videokameras eingesetzt.

So kommen heute AP-Sensoren in verschiedenen digitalen Spiegelreflexkameras zum Einsatz. In Mobiltelefonen mit Kamerafunktion kommen praktisch ausschließlich AP-Sensoren zum Einsatz.

In Camcordern werden momentan fast ausschließlich CCD-Sensoren eingesetzt, jedoch hat Sony 2005 den HDR-HC1 veröffentlicht, einen HDV-Camcorder der einen APS verwendet. APS finden auch in vielen Industriekameras Verwendung. Die Münchener Firma Arri brachte 2004 mit der D-20 eine Videokamera heraus, die einen APS mit einer Bildauflösung von 2880×1620 Pixel verwendet. Seine Größe entspricht der aktiven Bildfläche eines 35-mm-Films, was den Einsatz von generischen Filmobjektiven erlauben und die Schärfentiefe der Bilder an die des Filmes angleichen soll.

Eine Spezialform der CMOS-Bildsensoren stellen die Fotodioden-Arrays dar, die quasi ein n×1-CMOS-Bildsensor sind. Sie werden in der Regel nur in embedded-Anwendungen, d. h. Anwendungen, bei denen das Bild nicht von Menschen betrachtet oder ausgewertet wird, verwendet. Beispiele dafür sind Barcodelesegeräte und Winkelsensoren.

[Bearbeiten] Unterschiede zu CCD-Sensoren

Die CMOS-Technologie der APS weist gegenüber den MOSFET-basierten CCD-Sensoren auch einen deutlich geringeren Energieverbrauch auf (ca. zehn Prozent der CCDs) und erlaubt bei einem größeren Produktionsvolumen eine günstige Produktion, da sie ohne Umrüstung auf den für hohe Stückzahlen ausgelegten Fertigungsstraßen gefertigt werden kann und so einen geringeren Fertigungsaufwand pro Chip verursacht.

Ein weiterer Unterschied ist die geringere UV- und IR-Empfindlichkeit. Dies führt zum einen dazu, dass bei der Anwendung in einer Fotokamera weniger Bildstörungen durch UV-/IR-Strahlung auftreten, hat aber auch den Nachteil, dass man gewöhnliche CMOS-Sensoren nicht für IR-Kameras (z. B. Überwachungskameras) einsetzen kann.

[Bearbeiten] Vorteile

  • Geringerer Stromverbrauch.
  • Bei großen Stückzahlen billiger herzustellen.
  • Es lassen sich mehrere Pixel gleichzeitig auslesen.
  • Die Auslesesteuerung kann direkt auf dem Sensor integriert werden (System on a Chip).
  • Kaum Blooming.
  • Flexibler auszulesen (schneller Preview, Video, Binning, mehrfaches Auslesen).
  • Manche Verarbeitungsschritte können gleich im Pixel-Verstärker vorgenommen werden, z. B. Logarithmierung beim HDRC-Sensor (high dynamic range CMOS).
  • Sehr hohe Bildraten im Vergleich zu einem CCD selber Größe.

[Bearbeiten] Nachteile

  • geringerer Füllfaktor (Verhältnis der fotoempfindlichen zur gesamten Pixelfläche)
  • größere Empfindlichkeitsunterschiede zwischen den Pixeln, was bei Bayer-Sensoren zu einem stärkeren Farbrauschen führt.
  • übliche CMOS-Sensoren sind weniger lichtempfindlich als CCD-Sensoren (Ausnahme: teure Spezialsensoren)

[Bearbeiten] Siehe auch

[Bearbeiten] Weblinks

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