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Die mobile Intel-Core-2-Duo-Serie für Notebooks ist eine Familie von 64-Bit-Mikroprozessoren für Computer. Diese Doppelkernprozessoren basieren auf der Intel-Core-Mikroarchitektur und stellen die Nachfolger der Pentium-M- und Core-CPUs dar. Die Core-2-Duo-Familie ist Teil der Intel-Core-2-Serie. Intel-Core-2-Duo-Prozessoren in stationären Computern werden mit dem selben Namen vermarktet.
Alle Core-2-Duo-Prozessoren erhalten eine vierstellige Modellnummer. Vor dieser wird bei den mobilen Varianten noch ein Buchstabe gesetzt, der über die jeweilige Leistungsaufnahme Auskunft gibt.
„T“ - Mobile CPU: 30-39W TDP
„P“ - Mobile CPU, „Power optimiert“: 20-29W TDP
„L“ - Mobile CPU mit deutlich gesenkter Spannung („Low Voltage“): 12-19 W TDP
„U“ - Mobile CPU mit besonders stark gesenkter Spannung („Ultra Low Voltage“): <=11,9 W
Merom ist ein in 65 nm gefertigter Doppelkernprozessor, der für Sockel M und Sockel P angeboten wird. Merom besitzt 4 MiB L2-Cache, von dem jedoch bei einigen Modellen die Hälfte deaktiviert wird. Der Kern ist eng verwandt zum Conroe-Kern, der bei den Intel-Core-2-Duo-Desktop-Prozessoren verwendet wird. Bemerkenswert ist, dass der Merom Intels erster Mobilprozessor ist, in der die von AMD übernommene 64-Bit-Erweiterung AMD64 realisiert wurde, welche bei Intel als Intel 64 vermarktet wird.
Penryn ist die neue Generationen von Core-2-Duo-Prozessoren mit einer überarbeiteten Version der Core-Mikroarchitektur. Dabei kommt im Mobilbereich ein Kern mit dem Codenamen Penryn zum Einsatz, der im Vergleich zum Vorgänger Merom größere Caches (sofern komplett aktiviert. Chips mit teilweise deaktiviertem Cache, haben wiederum mehr Cache als Chips des Vorgängers mit ebenfalls teilweise deaktiviertem Cache), verbesserte Stromspartechniken und eine optimierte Architektur besitzt. Damit wurde auch die Leistung pro Takt (IPC) verbessert. Außerdem wird er statt in 65 nm in 45 nm gefertigt. Bei der Transistorbauweise kommt ein High-k-Dielektrikum auf Hafniumbasis zum Einsatz, durch welches die Leckströme verringert werden können und/oder (je nach Dimensionierung, also vor allem Schichtdicke des Dielektrikums) schnellere Transistoren möglich sind.
Wie bereits auch der Vorgänger Core Duo kommen die Core-2-Duo-Prozessoren (Merom, Penryn) auch bei Intels Notebook-Plattform Centrino zum Einsatz.
[Bearbeiten] Modelldaten Sockel M
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 2.048 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel M, AGTL+ mit 166 MHz FSB (quadpumped, FSB 667)
- Betriebsspannung (VCore): 1,0375–1,30 V
- Verlustleistung (TDP): 34 W
- Erscheinungsdatum: 27. Juli 2006
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 143 mm² bei 291 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,60–1,83 GHz
- Modellnummern:
- 133 MHz FSB
- 166 MHz FSB
- T5500: 1,67 GHz
- T5600: 1,83 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- Revision: L2
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 2.048 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT (nur U7xxx-Reihe)
- Sockel M, AGTL+ mit 133 oder 166 MHz FSB (quadpumped, FSB 533 oder FSB 667)
- Betriebsspannung (VCore): 0,8–1,30 V (außer ULV-Versionen)
- Verlustleistung (TDP): 10–34 W
- Erscheinungsdatum:
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 111 mm² bei 167 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,06–1,83 GHz
- Modellnummern:
- Standard (TDP: 34 W)
- 133 MHz FSB
- 166 MHz FSB
- T5500: 1,67 GHz
- T5600: 1,83 GHz
- Ultra Low Voltage (ULV) (TDP: 10 W, 133 MHz FSB)
- U7500: 1,06 GHz
- U7600: 1,20 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 2.048 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 133 MHz FSB (quadpumped, FSB 533)
- Betriebsspannung (VCore): 0,8–0,975 V
- Verlustleistung (TDP): 10 W
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 111 mm² bei 167 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,06–1,20 GHz
- Modellnummern:
- U7500: 1,06 GHz
- U7600: 1,20 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 4.096 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel M, AGTL+ mit 166 MHz FSB (quadpumped, FSB 667)
- Betriebsspannung (VCore): 0,975–1,30 V
- Verlustleistung (TDP): 17–34 W
- Erscheinungsdatum: 27. Juli 2006
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 143 mm² bei 291 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,33–2,33 GHz
- Modellnummern:
- Standard (TDP: 34 W)
- T7200: 2,00 GHz
- T7400: 2,16 GHz
- T7600: 2,33 GHz
- Low Voltage (TDP: 17 W)
- L7200: 1,33 GHz
- L7400: 1,50 GHz
[Bearbeiten] Modelldaten Sockel P
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 2.048 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, teilweise IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 166 oder 200 MHz FSB (quadpumped, FSB 667 oder FSB 800)
- Betriebsspannung (VCore): 1,0375 - 1,30 V
- Verlustleistung (TDP): 34 W
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 111 mm² bei 167 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,40 GHz - 2,00 GHz
- Modellnummern:
- 166 MHz FSB, kein IVT
- T5250: 1,50 GHz
- T5450: 1,66 GHz
- T5550: 1,83 GHz
- T5750: 2,00 GHz
- 200 MHz FSB
- T5270: 1,40 GHz (kein IVT)
- T5470: 1,60 GHz (kein IVT)
- T7100: 1,80 GHz (IVT)
- T7250: 2,00 GHz (IVT)
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- Revision: E1
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 4.096 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 200 MHz FSB (quadpumped, FSB 800)
- Betriebsspannung (VCore): 0,975 - 1,30 V (0,975 - 1,062 V bei LV-Versionen)
- Verlustleistung (TDP): 17 - 35 W
- Erscheinungsdatum:
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 143 mm² bei 291 Millionen Transistoren
- Taktraten: 1,40 - 2,40 GHz
- Modellnummern:
- Standard (TDP: 35 W)
- T7300: 2,00 GHz
- T7500: 2,20 GHz
- T7700: 2,40 GHz
- Low Voltage (TDP: 17 W)
- L7300: 1,40 GHz
- L7500: 1,60 GHz
- L7700: 1,80 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- Revision: G0
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 4.096 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 200 MHz FSB (quadpumped, FSB 800)
- Betriebsspannung (VCore):
- Verlustleistung (TDP): 35 W
- Erscheinungsdatum:
- Fertigungstechnik: 65 nm
- Die-Größe: 143 mm² bei 291 Millionen Transistoren
- Taktraten: 2,20 - 2,60 GHz
- Modellnummern:
- T7500: 2,20 GHz
- T7700: 2,40 GHz
- T7800: 2,60 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- Revision: C0
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 3072 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 200 MHz FSB (quadpumped, FSB 800)
- Betriebsspannung (VCore): 1,00 – 1,237 V
- Verlustleistung (TDP): 35 W
- Erscheinungsdatum: 7. Januar 2008
- Fertigungstechnik: 45 nm
- Die-Größe: 107 mm² bei 410 Millionen Transistoren
- Taktraten: 2,10 - 2,40 GHz
- Modellnummern:
- T8100: 2,10 GHz
- T8300: 2,40 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- Revision: M0
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 3072 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 200 MHz oder 266 MHzFSB (quadpumped, FSB 800 oder FSB 1066 )
- Betriebsspannung (VCore): 1,00 – 1,25 V
- Verlustleistung (TDP): 25 W bis 35 W
- Erscheinungsdatum: 35 W Versionen am 7. Januar 2008, 25 W Versionen am 15. Juli 2008
- Fertigungstechnik: 45 nm
- Die-Größe: 81 mm² bei 274 Millionen Transistoren
- Taktraten: 2,10 - 2,40 GHz
- Modellnummern:
- FSB 800, TDP: 35 W
- T8100: 2,10 GHz
- T8300: 2,40 GHz
- FSB 1066, TDP: 25 W
- P8400: 2,26 GHz
- P8600: 2,40 GHz
Doppelkernprozessor (Dual-Core), Mobilprozessor
- Revision: C0
- L1-Cache: je Kern 32 + 32 KiB (Daten + Instruktionen)
- L2-Cache: 6144 KiB mit Prozessortakt
- MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, Intel 64, EIST, XD-Bit, IVT
- Sockel P, AGTL+ mit 200 MHz oder 266MHz FSB (quadpumped, FSB 800 oder FSB 1066)
- Betriebsspannung (VCore): 1,00–1,25 V
- Verlustleistung (TDP): 25–35 W
- Erscheinungsdatum: Versionen mit FSB 800 am 7. Januar 2008, Versionen mit FSB 1066 am 15. Juli 2008
- Fertigungstechnik: 45 nm
- Die-Größe: 107 mm² bei 410 Millionen Transistoren
- Taktraten: 2,50 - 2,80 GHz
- Modellnummern:
- FSB 800, TDP: 35 W
- T9300: 2,50 GHz
- T9500: 2,60 GHz
- FSB 1066
- T9400: 2,53 GHz (TDP: 35 W)
- P9500: 2,53 GHz (TDP: 25 W)
- T9600: 2,80 GHz (TDP: 35 W)