Random Access Memory

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Prinzipielle Anordnung der Speicherzellen in Reihen und Spalten (Matrix) in einem RAM. Die Adresscodierer befinden sich auf demselben Chip. Der Schreib-/Leseschaltkreis schaltet die Informationsrichtung um und verstärkt die schwachen Signale der adressierten Speicherzellen.

Random access memory (das; dt.: Speicher mit wahlfreiem Zugriff), abgekürzt RAM, ist ein Speicher, der besonders bei Computern als Arbeitsspeicher Verwendung findet. Die gängigsten Formen gehören zu den Halbleiterspeichern. RAM wird als integrierter Schaltkreis hauptsächlich in Silizium-Technologie realisiert und in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.

[Bearbeiten] Charakteristik

Die Bezeichnung des Speichertyps als „wahlfrei“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle über ihre Speicheradresse direkt angesprochen werden kann, der Speicher also nicht sequentiell oder in Blöcken ausgelesen werden muss (bei großen Speicherbausteinen erfolgt die Adressierung jedoch nicht über die einzelnen Zellen, sondern über ein Wort, dessen Breite von der Speicherarchitektur abhängt). Das unterscheidet den RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den so genannten Flash-Speichern.

Der Begriff „random access memory“ (RAM, „Speicher mit wahlfreiem Zugriff“ oder „Direktzugriffsspeicher“) wird heute immer im Sinne von „read-write random access memory“ (RWRAM, „Schreib-Lese-RAM“) verwendet. Der Begriffsinhalt des Speichers mit wahlfreiem Zugriff trifft auch auf andere Speicherformen zu, insbesondere Speicherbausteinen vom Typ Read Only Memory (ROM, Nur-Lese-Speicher). Da die Bezeichnung RAM missverständlich ist, wurde zeitweise versucht, den Begriff „read-write memory“ (RWM, Schreib-Lese-Speicher) zu etablieren, der sich jedoch nicht durchsetzen konnte.^[1]

[Bearbeiten] Geschichte

Die Entstehung des Begriffs geht in die Anfangszeit der modernen Computer zurück, bei denen alle Daten auf sequentiell zu lesenden Speicherformen wie Lochkarten und magnetischen Trommelspeichern vorlagen, die zur Verarbeitung in schnelle Rechenregister geladen wurden. Um Zwischenergebnisse schneller als diese blockorientierten Geräte bereitzuhalten, wurden zeitweise Verzögerungsleitungen (engl.: delay line) für Zwischenwerte eingesetzt, bis dann die Ferritkernspeicher eingeführt wurden. Diese schreibbaren Speicher hatten schon die Form des Matrixzugriffes, wie sie auch heutige RAM haben. Zu jener Zeit waren die schnellen Speichertypen alle schreibbar und die wesentliche Neuerung bestand in dem wahlfreien Zugriff der magnetischen Kernspeicher und der nachfolgend auf Halbleiterspeichern aufsetzenden RAM-Bausteine.

[Bearbeiten] Ansteuerung von RAM-Chips

[Bearbeiten] Synchrone oder asynchrone Ansteuerung

Je nach Typ von RAM-Baustein erfolgt die Ansteuerung synchron zu einem Taktsignal oder asynchron ohne Takt. Der wesentliche Unterschied besteht darin, dass bei der asynchronen Variante die Daten erst nach einer bestimmten, bausteinabhängigen Laufzeit zur Verfügung stehen bzw. geschrieben sind. Diese, unter anderem materialabhängigen zeitlichen Parameter weisen Exemplarstreuungen auf und sind von verschiedenen Einflüssen abhängig, weshalb bei asynchronen Speichern der maximale Durchsatz stärker als bei synchronen Speicheransteuerungen limitiert ist. Bei synchronen Speichern wird die zeitliche Ausrichtung der Steuersignale durch ein Taktsignal festgelegt, wodurch sich deutlich höhere Durchsatzraten ergeben.

Synchrone RAMs können sowohl statische als auch dynamische RAMs sein. Beispiele für synchrone SRAMs sind Burst SRAMs oder ZBTRAMs. Asynchrone SRAMs sind meist langsamere Low-Power SRAMs, die beispielsweise bei kleineren Mikrocontrollern als externer Datenspeicher Anwendung finden. Bei den dynamischen RAMs sind die seit Ende der 1990er Jahre üblichen synchronen SDR-SDRAMs und deren Nachfolger, die DDR-SDRAMs, als Beispiel zu nennen, während die davor üblichen DRAMs wie EDO-DRAMs asynchrone DRAM-Bausteine darstellen.

[Bearbeiten] Adressierung

Um Bits in einer Bank zu adressieren, sendet die Speichersteuerung die Adressinformation über entsprechende Adressbusleitungen an die entsprechende Bank. Bei DRAMs wird der Adressbus normalerweise gemultiplext und in zwei Hälften über identische Pins in den Baustein geführt, einmal als RAS (engl.: row adress strobe) und einmal als CAS (engl.: column adress strobe). Dagegen wird bei SRAMs zwecks höherer Geschwindigkeit meist der komplette Adressbus an Pins geführt, so dass der Zugriff in einer einzigen Operation erfolgen kann.

[Bearbeiten] Steuerleitungen

Eine Steuerleitung gibt dem Chip vor, ob gelesen oder geschrieben werden soll. Meist heißt der Pin R/W.

Oft gibt es eigene Chip-Select-Pins CS und/oder Output-Enable-Pins OE. Wenn einer dieser Pins den Chip auf inaktiv setzt, werden vor allem die Datenleitungen (s. u.) auf hochohmig (Tri-State) geschaltet, um die Bussignale der anderen, jetzt aktiven Chips nicht zu stören.

Wenn es sich um DRAMs handelt, gibt es einen eigenen Pin zur Unterscheidung zwischen RAS- und CAS-Adressteil (s. o.). Meist heißt der Pin RAS/CAS.

[Bearbeiten] Datenleitungen

Ein RAM-Chip weist mindestens eine bidirektionale (nämlich durch den R/W-Pin gesteuerte) Datenleitung auf. Oft findet man auch 4, 8 oder 16 Datenpins, je nach Auslegung. Die Kapazität eines Chips in Bits ergibt sich dann durch die Datenbusbreite mal der Anzahl der möglichen Adresswerte (2^{Datenbusbreite}) bzw. bei DRAMs (2^{2×Datenbusbreite}).

[Bearbeiten] Versorgungsspannung

Der Energiebedarf der flüchtigen RAM-Typen steigt und fällt mit der Betriebsspannung: je höher die Spannung, desto höher der Energiebedarf, und zwar quadratisch mit der Spannung steigend. Die Hersteller von Speicher versuchen kontinuierlich, diesen zu senken, denn je nach Speichergröße kann er mehrere Watt betragen, was sich bei Notebooks spürbar auf die Akkulaufzeit auswirken kann. Die Versorgungsspannung von DDR2-SDRAM liegt bei 1,8 Volt. Der Vorgänger DDR-SDRAM benötigt 2,5 Volt, noch ältere Speicher wie SDR-SDRAM benötigen 3,3 Volt. Bei DDR3-SDRAM wurde die Spannung auf 1,5 Volt gesenkt.

[Bearbeiten] Arten von RAMs

Es gibt verschiedene technische Umsetzungen von RAMs. Die heute gängigsten werden hauptsächlich in Computern eingesetzt und sind „flüchtig“ (auch: volatil), das heißt, die gespeicherten Daten gehen nach Abschaltung der Stromzufuhr verloren. Es gibt allerdings auch RAM-Typen, die ihre Information auch ohne Stromzufuhr erhalten (nicht volatil). Diese werden NVRAM genannt.

[Bearbeiten] Statisches RAM (SRAM)

6-Transistor-Zelle in CMOS-Technologie

SRAM steht für statisches RAM und bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in Computern als Cache eingesetzt wird. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil; en. volatile), das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Die Informationen werden durch Zustandsänderung von bistabilen Kippstufen (Flipflops) gespeichert. Das macht die Speicherzelle zwar extrem schnell, aber auch verhältnismäßig groß (über 140 F²)^[2][3] und sie verbrauchen relativ viel Energie.

SRAMs werden heutzutage als 6-Transistor-Zelle in CMOS-Technologie hergestellt. Der Aufbau einer Kippstufe mit Widerständen als Lastelementen wird nicht mehr eingesetzt; statt der Lastwiderstände werden heute CMOS-Transistorpaare verwendet (siehe Bild). Mit weiteren zwei Transistoren zur Ankopplung an die Spalten- bzw. Zeilen-Auswahlleitungen ergibt sich die besagte 6-Transistor-Zelle wie im Bild anbei.

[Bearbeiten] Dynamisches RAM (DRAM)

Prinzipieller Aufbau einer DRAM-Zelle

→ Hauptartikel: Dynamisches RAM

DRAM steht für dynamisches RAM und bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in Computern als Arbeitsspeicher eingesetzt wird. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt, die gespeicherte Information geht nach Abschaltung der Betriebsspannung schnell verloren, kann unter günstigen Bedingungen aber auch länger erhalten bleiben.^[4] Die Informationen werden in Form des Ladezustandes eines Kondensators gespeichert. Dieser sehr einfache Aufbau macht die Speicherzelle zwar sehr klein (6 bis 10 F²), allerdings entlädt sich der Kondensator bei den kleinen möglichen Kapazitäten durch die auftretenden Leckströme schnell, und der Informationsinhalt geht verloren. Daher müssen die Speicherzellen regelmäßig wiederaufgefrischt werden.
Im Vergleich zum SRAM ist der DRAM billiger, weshalb man ihn vornehmlich für den Arbeitsspeicher verwendet.

[Bearbeiten] Phase-change RAM (PRAM)

Aufbau einer PRAM-Zelle

→ Hauptartikel: Phase-change random access memory

PRAM steht für phase-change RAM und befindet sich u. a. bei Samsung noch in der Entwicklung. Er soll als Ersatz von S- und DRAM dienen und Vorteile gegenüber NOR-Flash-Speicher haben, zum Beispiel sollen Schreibzugriffe wesentlich schneller sein und die Anzahl der Schreib-/Lese-Zyklen soll um ein Vielfaches höher sein als NOR-Flash-Speicher. Dabei belegt er weniger Fläche und ist einfacher in der Herstellung.

Intel hat angekündigt, den ersten in Großserie gefertigten PRAM-Chip bis Ende 2007 auf den Markt zu bringen, der sich nach außen ähnlich wie ein NOR-Flashspeicher verhalten soll.

[Bearbeiten] Einzelnachweise und Fußnoten

1. ↑ Stefan Ram. Erklärung des Begriffs „RAM“
2. ↑ The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 - Emerging Research Devices, Seite 7 (engl., PDF)
3. ↑ The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 - System Drivers (engl., PDF)
4. ↑ Lest We Remember: Cold Boot Attacks on Encryption Keys

[Bearbeiten] Literatur

• R. W. Mann, W. W. Abadeer, M. J. Breitwisch, O. Bula, J. S. Brown, B. C. Colwill, P. E. Cottrell, W. G. Crocco, S. S. Furkay, M. J. Hauser: Ultralow-power SRAM technology.. In: IBM Journal of Research and Development. 47, Nr. 5, 2003, S. 553-566 (doi:10.1147/rd.475.0553).

[Bearbeiten] Weblinks

• Heise News: IDF: 128-MBit-Phasenwechsel-Speicherchip noch 2007